森脇 正志（もりわき まさし）

森脇正志

所長・京都オフィス責任者・特定侵害訴訟代理人弁理士

名古屋工業大学 電気情報工学科（学部）卒業
東京工業大学 総合理工学研究科 電子システム専攻　博士課程前期（大学院修士）修了
大手電機メーカーの知的財産部門にて、半導体プロセス要素技術等に関する特許権取得業務（内外特許出願、中間処理、特許調査等）を担当。特に、在職中は、発明者を対象とする知財啓蒙・ブレインストーミング等、有力特許取得に向けての知財戦略の立案・構築に注力。

所属会員

日本弁理士会
京都発明協会・日本ライセンス協会（LESJ）・アメリカ知的財産法協会（AIPLA）・Tokyo American Inns of Court (Tokyo IP Inn)
その他、アジア弁理士協会(APAA)・国際弁理士連盟(FIPCI)・日本国際知的財産保護協会(AIPPI)など

趣味・特技

旅行、つり（主に海釣りと川釣り）、テニス・ゴルフ、アウトドアなど。 大学時代の最初の４年間（学部時代）は4人部屋の学生寮で共同生活を通じて充実した毎日を送りました。

資格

平成12年11月 弁理士登録
平成17年 1月 特定侵害訴訟代理付記登録

略歴

平成12年 弁理士試験合格（登録番号：11704）
平成14年 森脇特許事務所（京都オフィス）開設
平成17年 特定侵害訴訟代理付記登録
平成20～22年 知的財産訴訟 専門委員（裁判所 任期付職員） 東京高等裁判所、東京地方裁判所及び大阪地方裁判所に所属
平成21～23年 日本弁理士会国際活動センター国際政策研究部　センター員
平成25～28年 立命館大学　非常勤講師（理工学部留学生向け、知的財産法 英語クラス）
平成26年～令和4年 知的財産訴訟 専門委員（裁判所 任期付職員） 東京高等裁判所、東京地方裁判所及び大阪地方裁判所に所属（再任）
平成30年 世界知的所有権機関（WIPO)の特許常設委員会（SCP:Standerd Commity of Patent)に弁理士会代表として派遣

専門分野

電気・電子分野（半導体デバイス構造・製造プロセス要素技術、電子回路、各種電気機器、コンピュータソフトウエア関係等）

委員及び研究活動

平成14年度 日本弁理士会近畿支部 ベンチャー支援検討委員会　副委員長（１期）
平成15～17年度 日本弁理士会著作権委員会　委員（２期）
平成16～18年度 日本弁理士会中央知的財産研究所　研究員（２期）
平成17～18年度 日本弁理士会ＡＤＲ推進機構　委員（１期）
平成18～21年度 日本弁理士会ソフトウエア委員会　委員（３期）
平成20～21年度 専門委員（知的財産訴訟）　最高裁判所任期付き非常勤職員
平成20～23年度 日本知的財産仲裁センター関西支部　運営委員
平成21～22年度 日本弁理士会国際活動センター国際政策研究部　センター員
平成25～27年度 立命館大学　非常勤講師 （知的所有権概論(E)）
平成29～30年度 日本弁理士会国際活動センター国際政策研究部　センター員
世界知的所有権機関 第２８回及び第２９回特許法常設委員会（SCP28、SCP29）に国際活動センターより参加
平成26年4月～令和4年3月 専門委員（知的財産訴訟）　最高裁判所任期付き非常勤職員
令和6年 The Tokyo Intellectual Property American Inn of Court （Tokyo IP Inn） Vice president に就任

技術的専門分野

  1. 電気電子分野：半導体物性（デバイス／プロセス）、電子回路（アナログ・ディジタル）
  2. 情報、通信分野：ソフトウエア関連発明も比較的実績があります。
  3. 化学分野：樹脂、薬品などの工業材料及びプロセス
  4. 機械分野

これまで電磁気学・量子力学・固体物理（半導体）・結晶工学・電子回路をよく勉強してきましたので、基本的にはこれらの知識を必要とする分野が得意分野といえます。半導体デバイスやプロセス要素技術に関する発明は大抵問題なく受任できます。
ソフトウエア関連発明は平成１８年ごろからの数年間の研究テーマの一つで、比較的実績があります（Unix系/Windows系システム管理の経験があり情報分野も一定の知識は持っています）。
機械分野は父康博の専門であるため、大阪事務所で受任した案件を通じて特許出願書類としての機械図面の描き方などをＯＪＴで習得しました。また、学生時代から自動車やバイクなどに興味を持ち、分解・整備なども自分で行っていましたので、機械分野の取り扱い件数は少なくありません。

化学は厳密には専門ではありませんが、自然科学に興味を持ち始めたきっかけの学問であり、大学２年生までの一般的レベル（物理化学・無機及び有機化学の基礎）と、結晶工学に関するやや専門的な知識（炭化珪素ＳｉＣの単結晶に関する伝導性制御技術の研究や、フッ化物系の強誘電体薄膜に関する研究経験があります）がベースとなっています。また、会社時代に半導体プロセスで使用される薬品の特許出願を多く扱っていましたので、工業材料についてはある程度の経験と実績があります。近年は海外からの特許出願案件を受任するようになった関係上、医薬品などの分野についても徐々に取り扱い件数が増えてきています。

法律的専門分野

  1. 特許、商標、著作権、契約等。これらをふまえた知財戦略等、各種法律相談
  2. 訴訟代理人（特定侵害訴訟代理付記登録弁理士）
  3. 知的財産研修講師
    [研究者・技術者、学生、知財担当者を対象とした特許法、実用新案法、意匠法、商標法、著作権法などに関する法律講義、特許明細書の書き方などの実務研修など]

　当職及び当事務所で取り扱った各種事件の解決事例はこちら

論文、著作

  1. Okuyama,Y; Matsubara.J; Moriwaki.M; Eryu.O; Nakashima.K; Nakata.T,
    “Formation of Shallow SiC-pn Junction by Excimer Laser Doping “,
    応用物理学会学術講演会講演予稿集 56(1),261,19950826(The Japan Society of Applied Physics)
    ※炭化ケイ素（ＳｉＣ）のｎ型単結晶基板の表面にエキシマレーザーをパルス照射して表面の極めて浅い部位にｐｎ接合を形成しました。
  2. MORIWAKI,M.; AIZAWA,K.; TOKUMITSU,E.; ISHIWARA,H.,
    “Electrical properties of BaMgF_4/Pt/SiO_2/Si(100) diodes” 応用物理学会学術講演会
    講演予稿集 57(2),467,19960907(The Japan Society of Applied Physics)
    ※タイトルのような構造の(M)FMIS構造のダイオードを作成してその電気的特性について調べました。
  3. K.Aizawa, M.Moriwaki, T.Ichiki, E.Tokumitsu and H.Ishiwara,
    “Growth and crystallinity of ferroelectric BaMgF4 films on (111)-oriented Pt films”,
    Jpn. J. Appl. Phys., Vol.36, Part 2, No.2B, pp.L234-L237, Feb. 1997
    ※タイトルのような構造の（強誘電体の）薄膜を作成してその結晶特性について調べました。
  4. M.Moriwaki, K.Aizawa, E.Tokumitsu and H.Ishiwara,　
    “Ferroelectric properties and crystalline structures of BaMgF4 thin films grown on
    Pt(111)/SiO2/Si(100)” ,Mater. Res. Soc. Sympo. Proc. (Polycrystalline Thin Films III
    – Structure, Texture, Properties, and Applications), Vol.472, pp.75-80, 1997
    ※(111)に配向したPt薄膜上にBaMgF4薄膜をエピタキシャル成長し、その結晶特性と電気的特性を調べました。
  5. MORIWAKI.M.; AIZAWA.K.; TOKUMITSU.E.; ISHIWARA.H.,　
    “Electrical properties of BaMgF_4/Pt(111)/SiO_2/Si structure fabricated by dry etching”　応用物理学会学術講演会講演予稿集 58(2),556,1997/10/02(The Japan Society of Applied Physics)
  6. NISHIYAMA.J.; MORIWAKI.M.; AIZAWA.K.; TOKUMITSU.E.; ISHIWARA.H.,
    “DC Bias Dependence of Memory Retention Characteristics of BaMgF_4 Capacitors”
    応用物理学関係連合講演会講演予稿集 45(2),611,1998/03/28(The Japan Society of Applied Physics)
  7. MORIWAKI.M.; NISHIYAMA.J.; AIZAWA.K.; TOKUMITSU.E.; ISHIWARA.H,
    “Electrical properties of BaMgF_4/Pt(111)/SiO_2/Si structure fabricated by dry etching”
    応用物理学関係連合講演会講演予稿集 45(2),612,1998/03/28(The Japan Society of Applied Physics．
  8. 補正における新規事項の検討. Vol.56 No.4. －51－. パテント2003.（共著）
  9. 弁理士が答える知って得する知的財産Ｑ＆Ａ（共著）　日刊工業新聞社発行2005.
  10. 日本弁理士会　中央知的財産研究所　研究報告第１９号（共著）
    「平成16年度～17年度　日本弁理士会中央知的財産研究所関西部会：コンピュータプログラムの法的保護」2006.6

講演会、セミナー講師

  1. 大手受験機関　弁理士入門講座講師　2003.4～2004.5
  2. 特許庁主催　特許普及講座 「PCT国際出願とその手続の進め方」　2004.1
  3. 財団法人滋賀県産業支援プラザ「ＳＯＨＯ型『創業塾』」第3回講師　2005.1　
  4. 京都発明協会主催「知財セミナー」第３回講師　2004.7
  5. 総務省主催　「ＩＴベンチャー知的財産戦略セミナー」 第2回演習講師　2006.10
  6. 京都発明協会主催「知財セミナー」第4,5回講師　2006.10～2007.11
  7. 特許庁・近畿経済産業局主催　龍谷大学共催　（学生向け）セミナー講師　2008.11
  8. 名古屋工業大学　「知的財産権制度概論」特別講義講師 2008.12
  9. 立命館大学（大学院）「知的財産権概論 E」非常勤講師 2013.9～2014.3、2014.10-2015.2、2015.10-2016.1 （90分ｘ全15回）

相談員

  1. 日本弁理士会発明相談員 2002～現在
  2. 発明協会相談員　2003～2005, 2009～2012
  3. 日本弁理士会 関東支部 常設特許相談室 相談員　2012～2023

その他

クライアント先企業において、知財担当者や技術者を対象とする講習会・ブレインストーミング或いは経営部門や知財部門の担当者を対象とする知財戦略のコンサルティングなどの実績があります。

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